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１．真空加熱昇華法により SiC 微粒子表面に生成されたカーボンナノチューブ
条件：圧力約 0.01 Pa，加熱温度 1650 ℃，加熱時間 15min
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２．真空アーク放電法により陰極表面に生成されたカーボンナノチューブ
条件：圧力 0.5 Pa，電流 50 A，雰囲気ガス He
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３．真空アーク放電法により陰極点から放出された
ドロップレットに生成されたカーボンナノチューブ
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